2.   SILANE


[S]Pépin Fabrication diode schottky (1991) - Claude Jean

Comme le gaz utilisé est le  ]  SILANE  [  {(SiH4)}, les espèces réactives qui condensent sur les substrats, chauffés typiquement entre deux cents degrés Celsius {200o C} et quatre cents degrés Celsius {400o C}, vont former un matériau amorphe composé de silicium [...]



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