[...] on 1981, Gekka, Fukuda et Yasumara 1987, Paesler, Anderson, Freeman et Moddel 1978].} On détecte cette présence par l'apparition d'une bande d'absorption entre neuf cent soixante {960 cm-1} (oxygène isolé dans une matrice de
]
SILICIUM
[
{Si}) et mille quatre-vingts {1080 cm-1} (lien silicium-oxygène {Si-0} dans une matrice de {Si02}) dû au mode {"stretching"} de la liaison silicium-oxygène-silicium {Si-0-Si [Rostaing 1987]}.