Pour remédier à ces problèmes de la technologie Transistor à Effet de Champ Métal-Semi-conducteur Semiconducteur {MESFET, Loualiche, Vaudry, Henry et Le Corre [1987]} ont imaginé la solution suivante: une mince couche de
]
SILICIUM AMORPHE HYDROGÉNÉ
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{(a-Si:H)} est insérée entre le métal et le {GaInAs}.