[...] |P10 {Fig. 2. Système typique d'épitaxie en phase vapeur de semiconducteurs par la technique des organo-métalliques.} |P11 Le substrat {InP} est placé sur un
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SUSCEPTEUR
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généralement en graphite recouvert de carbure de silicium, afin d'éviter l'évaporation d'impuretés.